- LPZ0A區(qū) —— 本防雷分區(qū)內(nèi)的各物體都易遭受直接雷擊，因而可能傳導(dǎo)全部的雷電流。本區(qū)內(nèi)的雷電電磁脈沖強度無衰減（例如大樓外部不在避雷針保護范圍內(nèi)的部分）。
- LPZ0B 區(qū) —— 本防雷分區(qū)內(nèi)的各物體不易遭受直接雷擊，但本區(qū)內(nèi)的雷電電磁脈沖強度無衰減（例如大樓外部，但在避雷針保護范圍以內(nèi)的部分）。
- LPZ1區(qū) —— 本防雷分區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭受直接雷擊，流經(jīng)各導(dǎo)體的電流比LPZ0B區(qū)更小，本區(qū)內(nèi)的電磁場強度可能衰減，這取決于建筑物的屏蔽措施。（例如鋼筋水泥框架結(jié)構(gòu)大樓內(nèi)部）。
- LPZ2區(qū) —— 本防雷分區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭受直接雷擊，流經(jīng)各導(dǎo)體的電流比LPZ1區(qū)更小，本區(qū)內(nèi)的電磁場強度可能衰減，這取決于建筑物的屏蔽措施。（例如大樓內(nèi)部的屏蔽機房內(nèi)部）。
- LPZn+1后續(xù)防雷區(qū) —— 當(dāng)需要進一步減小流入的電流和電磁場強度時，應(yīng)增設(shè)后續(xù)防雷區(qū)，并按照需要保護的對象所要求的安置環(huán)境選擇后續(xù)防雷區(qū)的要求條件。（例如屏蔽機房內(nèi)的金屬機柜和控制臺內(nèi)部）
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