CVD生長的多層二硫化鉬(MoS2)薄片-不同層數(shù)定制供應(yīng)
具有本征帶隙的二維MoS2由于其在電子和光電子器件方面的潛力而引起了科研學(xué)著關(guān)注。 但是，由于這種材料的遷移率相對較低(甚至低于多晶硅)，這大大地了其邁向?qū)嶋H應(yīng)用。目前已經(jīng)有一系列針對單層MoS2的研究，但是與此同時多層MoS2的研究相應(yīng)的有所缺失。然而實際上，由于具有較高的態(tài)密度，多層MoS2具有比單層MoS2高得多的遷移率和驅(qū)動電流，這使得多層MoS2在薄膜晶體管、邏輯器件和傳感器等方面更具應(yīng)用前景。 然而，到目前為止報道的多層MoS2的性能是通過機械剝離獲得的，這并不適合實際應(yīng)用，而目前化學(xué)氣相沉積(CVD)合成的多晶多層MoS2薄膜，顯示出低得多的遷移率。
為了推進(jìn)多層為了推進(jìn)多層MoS2的實際應(yīng)用，我們通過CVD方法生長出高度結(jié)晶的多層MoS2薄片解決了上述問題。可以實現(xiàn)20層的MoS2以限定的AA順序堆疊在一起，而且每層的邊緣是原子級平滑的Mo原子鋸齒形結(jié)構(gòu)。多層溝道、原子級有序的邊緣以及的接觸幾何形狀使得這些CVD生長的多層MoS2薄片表現(xiàn)出優(yōu)于機械剝離多層MoS2的電性能。除了場效應(yīng)晶體管之外，這些多層MoS2晶體管也適合于構(gòu)建基于單層-多層MoS2結(jié)的整流二極管。
【圖文簡介】
圖1 合成不同層數(shù)的MoS2薄片
a)使用拱形氧化Mo箔作為反應(yīng)前體CVD生長MoS2的示意圖。
b)生長產(chǎn)物的大尺寸光學(xué)圖像，顯示了15-20層MoS2MoS2的生長，產(chǎn)率≈70%，比例尺：50μm。
c-f)CVD生長的單層、5層、8層以及17層MoS2薄片的光學(xué)圖像。
g,h)12層MoS2的光學(xué)圖像以及AFM圖像，其中MoS2具有≈20μm的邊長。
i)所示的是g)中MoS2樣品的拉曼mapping 圖像，其具有在404cm -1處的峰。
j) 該MoS2樣品的PL mapping 圖像，其峰值在1.80eV峰處。c-j)中的比例尺均為5μm。
圖2 CVD生長MoS2薄片的層依賴光譜表征
a) 分別是1,2,3,4,6,9和10層MoS2的光學(xué)圖像。比例尺：5μm。
b-d)分別對應(yīng)a)中MoS2薄片的拉曼、PL和SHG譜。
e)E2g1、A1g拉曼模式的層依賴頻率及其差異。f)層依賴性PL峰位置和強度。g)層依賴性SHG強。
圖3 實驗制備的多層MoS2的TEM和STEM表征結(jié)果
a)懸浮在多孔碳TEM網(wǎng)格上的CVD生長的多層MoS2薄片TEM圖像。比例尺：1μm。
在a)圖中多層MoS2上標(biāo)記的1和3的SAED圖像分別如b)圖和c)圖所示。
d)STEM-HAADF圖像以及e)另一個多層MoS2薄片(補充信息)1-2層邊界處的模擬圖像。藍(lán)色和球分別表示Mo和S原子。比例尺：1nm。
f)從左到右分別是1至8層MoS2的STEM-HAADF模擬圖像。比例尺：1nm。g)AA堆疊的多層MoS2的原子結(jié)構(gòu)。面內(nèi)Mo-S鍵的方向相同，頂層的S原子與底層的六角形中心重疊。
圖4 CVD生長的多層MoS2薄片的電學(xué)性能
a,b)多層機械剝離MoS2和CVD生長的MoS2薄片中的電學(xué)接觸幾何形態(tài)的示意圖。
c)在1V的偏壓下16層MoS2的Ids-Vgs性質(zhì)。插圖：在40V的柵極電壓下的Ids-Vds曲線以及器件的光學(xué)圖像。比例尺：5μm。
d)柵極電壓為0V時測量的1-8層MoS2結(jié)的Ids-Vds性質(zhì)。插圖：器件的光學(xué)圖像。比例尺：5μm。
層數(shù)依賴的e)電子遷移率和f)Vgs=40V和Vds=1V時電流測量值的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，其中紅色柱表示CVD生長的MoS2薄片，藍(lán)色柱表示機械剝離的MoS2薄片。
西安齊岳生物經(jīng)營著種類為的二維納米材料，我們用微機械剝離和液相剝離、化學(xué)氣相沉積，物相沉積和分子數(shù)外延方法以及其他方法制備二維納米材料，我公司可以提供的二維晶體種類包括有石墨烯、MXenes-Max，二維過渡金屬碳氮化物，二維晶體，二維薄膜，鈣鈦礦，CVD生長材料，功能二維材料，黑磷納米片、層狀雙氫氧化物、二維MOF、Pd納米片、六方氮化硼納米片，銻烯納米片和二維硼納米片，二硫化鉬等材料，我們還可以提供復(fù)雜定制類產(chǎn)品。
團(tuán)簇結(jié)構(gòu)的Fe3O4/Cystamine四氧化三鐵納米顆粒
SrTiO3+YBCO導(dǎo)薄膜，10*10*0.5mm
PLGA多孔靜電紡絲纖維膜載藥定制
三維多孔納米PLA纖維膜-載阿霉素
PLA載藥納米纖維膜-載紫杉醇
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載有布比卡因的PCL納米纖維
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紅色熒光PCL纖維膜
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紅色熒光PLA聚乳酸纖維膜
綠色熒光PLA聚乳酸纖維膜
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PSF聚砜纖維膜
PAN聚丙烯腈纖維膜
PVDF聚偏氟乙烯纖維膜
PEO聚氧化乙烯纖維膜
Gel明膠纖維膜
PVP聚乙烯吡咯烷酮纖維膜
PVA聚乙烯醇纖維膜
PLGA聚乙酸-羥基乙酸共聚物纖維膜
PCL聚乙內(nèi)脂纖維膜
PLA聚乳酸纖維膜
SrMoO4薄膜 光致發(fā)光薄膜
ZnO+Pt+Ti薄膜
SiO2/Pt薄膜
ZnO+鈉鈣玻璃薄膜
ZnO+SiO2薄膜
ITO+ZnO薄膜
二氧化鈦TiO2薄膜
GaAs InGaP薄膜
SrRuO3薄膜
InP上鍍InAlAs薄膜
摻雜ZnO薄膜
InP上鍍InAlAs薄膜
ZnO +Au+Cr薄膜
ZnO薄膜
康寧7980上鍍ITO膜
YIG單晶外延薄膜GGG襯底
Al2O3+YBCO薄膜
Si上鍍Ge薄膜
LaAlO3+SrTiO3薄膜
Si+SiO2薄膜
GaN系列薄膜
SiC 3C薄膜
GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜
4H-SiC上鍍4H-SiC薄膜P型
SOI基片(Si+SiO2+Si)
Glass+FTO薄膜
Al2O3+Si薄膜(SOS)
Diamond金剛石膜
Si+SiO2+Si3N4薄膜
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YSZ+CeO2薄膜
Si+SiO2+Ti+Pt薄膜
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Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜
CVD MoS2薄膜
Ba1-xSrxTiO3膜
玻璃上鍍Mo膜
Si+BN薄膜
La2Zr2O7薄膜
AL2O3+Al(0.1)Ga(0.9)N 薄膜
La1-xSrxTiO3薄膜
Si+SiO2+Cr+Au薄膜
La1-XSrXMnO3薄膜
Si片外延AIN薄膜
LaNiO3導(dǎo)電薄膜
Si+Al薄膜
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MoTe2二碲化鉬CVD薄膜
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Bi2Se3硒化鉍CVD薄膜
SnSe2二硒化錫CVD薄膜
ReSe2二硒化錸CVD薄膜
二硒化鎢(WSe2)CVD薄膜
二硒化鉬(MoSe2)CVD薄膜
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二硫化錸(ReS2)CVD薄膜
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貨期 一周
包裝：瓶裝/袋裝
地址：西安
廠家：西安齊岳生物科技有限公司
溫馨提示：西安齊岳生物科技有限公司供應(yīng)的產(chǎn)品用于科研，不能用于人體和其他商業(yè)用途axc,2021.08.18
