銀金硒(AgAuSe)量子點(diǎn)的資料
銀金硒(AgAuSe)量子點(diǎn)
近紅外窗口(NIR-II,900-1700 nm)熒光由于活體對(duì)其光子的吸收和散射效應(yīng)降低,在生物醫(yī)學(xué)成像和近紅外LED等方面得到研究。Ag基量子點(diǎn)(Ag2S和Ag2Se)是的不含有性重金屬元素的NIR-II熒光探針。以Ag2Se為例,它具有窄的直接帶隙(0.15 eV),是一種的NIR-II熒光材料。然而,Ag2Se中Ag離子的高遷移率導(dǎo)致大量的陽(yáng)離子空位和晶體缺陷,導(dǎo)致Ag2Se量子點(diǎn)的PLQY小于1%。因此,研究一種新的策略來(lái)獲得高PLQY的Ag基量子點(diǎn)具有重要意義。設(shè)計(jì)合成AgAuSe合金量子點(diǎn)材料,展示了820~1170 nm的熒光,在978 nm附近的熒光量子產(chǎn)率65.3 %,在相關(guān)報(bào)道中的結(jié)果是比較好的。
該材料中沒(méi)有性元素,壽命4.58 μs。作者認(rèn)為這種較高的PLQY和長(zhǎng)壽命能歸結(jié)于成功阻止了非輻射型激子躍遷,這可能是由于Au和具有Ag離子的高遷移率形成合金所致。此類較高PLQY量子點(diǎn)材料由于不存在性金屬,可能在生物成像、LED、光伏器件等領(lǐng)域中得到進(jìn)一步發(fā)展。
西安齊岳生物科技有限公司國(guó)內(nèi)供應(yīng)商供應(yīng)多種量子點(diǎn);有CdS/ZnS量子點(diǎn)油溶性CdS/ZnS QDs、ZnSe/ZnS,CdS/ZnS,InP/ZnS量子點(diǎn) ,水溶性 CdTe/CdS 量子點(diǎn)、水溶性 CdTe/ZnS 量子點(diǎn)系列產(chǎn)品;同時(shí)供應(yīng)提供多肽、蛋白、多糖修飾的熒光量子點(diǎn)產(chǎn)品。
一、CdSe-ZnS quantum dots 硒化鎘-硫化鋅量子點(diǎn)
二、CdS-ZnS quantumdots ZnSe/ZnS-PEG-NH2硫化鎘-硫化鋅熒光量子點(diǎn)
三、InP-ZnS quantum dots磷化銦-硫化鋅熒光量子點(diǎn) PEG包裹量子點(diǎn)
四、水溶性多糖修飾核殼量子點(diǎn)InP/ZnS Quantum Dots
五、 CdS/ZnS量子點(diǎn)油溶性CdS/ZnS QDs、ZnSe/ZnS,CdS/ZnS,CdSe/ZnS,InP/ZnS量子點(diǎn) ,水溶性 CdTe/CdS 量子點(diǎn)、水溶性 CdTe/ZnS 量子點(diǎn)
水溶性InP-ZnS核殼熒光量子點(diǎn):
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:分散在水溶液中水溶性的InP-ZnS核殼熒光量子點(diǎn),通過(guò)雙流見(jiàn)修飾上PEG,表面功能化活性基團(tuán)為COOH-Carboxy functional ligands羧基。
Product name: InP-ZnS Core/Shell Quantum Dot coated with PEG in water Carboxy functional
Emisson tolerance: ±25 nm
FWHM(半峰寬): 25-35 nm
Quantum yield(量子產(chǎn)率): 50%-90%
Surface group: Carboxy (COOH)
Concentreation:5mg/ml
Solvent: water
PEG Molecular Weight: 1000
Storage: 4-25℃ in the dark, Do not freeze ,12 months
量子點(diǎn)的外殼不但增加的發(fā)光效率,光化學(xué)降解,還可以在其表面增加外包被來(lái)對(duì)其進(jìn)行修飾,以增加其親水性和生物標(biāo)記性質(zhì)
常用修飾方法:
1.合成核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn),即在表面包裹一層晶體結(jié)構(gòu)相似、帶隙更大的半導(dǎo)體材料
2、用含巰基的有機(jī)分子對(duì)量子點(diǎn)進(jìn)行表面修飾,含巰基的有機(jī)分子是一種兩親聚合物。
相關(guān)產(chǎn)品:
CdSe-ZnS 量子點(diǎn)
水溶性CdSe-ZnS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 620±25 nm
水溶性CdSe-ZnS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 570±25 nm
水溶性CdSe-ZnS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 520±25 nm
水溶性CdSe-ZnS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 500±25 nm
CdS-ZnS量子點(diǎn)
水溶性CdS/ZnS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 450±15 nm
水溶性CdS/ZnS量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 420±15 nm
InP-ZnS 量子點(diǎn)
水溶性InP-ZnS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 690±25 nm
水溶性InP-ZnS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 640±25 nm
水溶性InP-ZnS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 590±25 nm
水溶性InP-ZnS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 540±25 nm
光致 CuInS2 (CIS)/ZnS
CdZnSe\ZnS量子點(diǎn)
CdZnSe\ZnS量子點(diǎn) 波長(zhǎng)610-640 nm
CdZnSe\ZnS量子點(diǎn) 波長(zhǎng)500-540nm
用途:科研
狀態(tài):固體/粉末
產(chǎn)地:西安
儲(chǔ)存時(shí)間:1年
保存:冷藏
儲(chǔ)藏條件:-20℃
以上資料來(lái)自西安齊岳生物小編zhn2021.07.16
溫馨提示:用于科研