隨著科技的發(fā)展，靜電技術(shù)已在工業(yè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用，如靜電噴涂，靜電除塵，靜電復(fù)印成像，靜電育種等。并且靜電應(yīng)用將日益擴(kuò)大其范圍并造福于人類。但是，靜電在許多領(lǐng)域也給人們帶來重大損失和危害。例如，在石油和化工，工業(yè)粉塵處理，等火工品，以及紡織，印刷，藥品生產(chǎn)，糧食飼料加工等行業(yè)，經(jīng)常因靜電發(fā)生爆炸或燃燒事故，同時(shí)還會(huì)降低生產(chǎn)效率，造成較大損失，同樣，在現(xiàn)代電子工業(yè)，靜電放電(ESD)也會(huì)造成電子產(chǎn)品損害，近年來，隨著現(xiàn)代電子信息技術(shù)的智能化，生物信息化，云計(jì)算技術(shù)等迅猛發(fā)展，不斷要求電子產(chǎn)品日益向輕，薄，短，小，高密度等方向發(fā)展，同時(shí)集成電路的集成度也不斷提高。大規(guī)模集成電路(LSI)，超大規(guī)模集成電路(VLSI),專用集成電路(ASIC)和超高速集成電路(VHSIC)已在電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用，隨著集成度不斷提高，集成電路的內(nèi)絕緣層越來越薄其連接導(dǎo)線寬度與間距越來越小。如一般CMOS器件絕緣層的厚度為0.01~0.1MM，其相應(yīng)耐靜電電壓為50~100V，VMOS，器件絕緣層薄，其耐電壓只有30V左右，千兆位DRAW耐電壓為10~20V，磁頭能耐的靜電電壓有3~5V。通常在電子產(chǎn)品的實(shí)際生產(chǎn)和產(chǎn)品運(yùn)輸，存儲(chǔ)等流轉(zhuǎn)過程中所產(chǎn)生的靜電電壓只遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過其損害閾值，往往在組裝，儲(chǔ)運(yùn)等過程中不知不覺地因ESD造成了電子產(chǎn)品失效，另外，因生產(chǎn)，檢驗(yàn)，焊接設(shè)備漏電等問題出現(xiàn)EOS(電壓，電流過載)現(xiàn)象，使微電子產(chǎn)品不良率大幅提升。開關(guān)放電，射頻，電噪聲源等產(chǎn)生的EMI(電磁干擾)對(duì)電路電子信息系統(tǒng)干擾也在與日俱增，ESD/EOS/EMI問題早已成為國際關(guān)注的一個(gè)問題據(jù)美國3M公司20世紀(jì)90年代載文介紹，因靜電放電的影響，在國微電子大規(guī)模發(fā)展時(shí)期，每年造成的直接經(jīng)濟(jì)損失達(dá)100多億美元。據(jù)日本20世紀(jì)90年代初統(tǒng)計(jì)，在日本的企業(yè)生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)不合格的電子器件中有45%是因靜電造成的。由于各種原因，在我國的電子行業(yè)，一般不會(huì)因靜電問題造成然燒和爆炸出現(xiàn)人員傷亡事故，所以還未普遍引起人們的了解和重視。但據(jù)不*統(tǒng)計(jì)，我國電子工業(yè)每年因ESD/EOS/EMI問題所造成的直接損失也近100億元人民幣，間接損失更大。在航天，航空，電子對(duì)抗和通信系統(tǒng)領(lǐng)域，因靜電等問題曾出現(xiàn)過 “風(fēng)云二號(hào)”氣象衛(wèi)星使用的CCD器件損壞，某型號(hào)飛機(jī)的系統(tǒng)出現(xiàn)故障，影響飛機(jī)飛行等諸如此類的事故多起。在民用通信，微電子制造，電子信息化系統(tǒng)等領(lǐng)域因ESD/EOS造成電子產(chǎn)品損害事件比比皆是，ESD/EOS/EMI已發(fā)展成影響我國電子產(chǎn)品質(zhì)量的一個(gè)重要問題。
ESD不同于周期性的脈沖，它是非周期性脈沖，它的頻譜能量分布是連續(xù)的，所以它既可干擾寬帶設(shè)備。又可干擾窄帶設(shè)備，對(duì)電子通訊儀器，信息化系統(tǒng)，醫(yī)療監(jiān)護(hù)系統(tǒng)等產(chǎn)生的電磁干擾，使邏輯電路產(chǎn)生錯(cuò)誤的翻轉(zhuǎn)效應(yīng)，能量膠大的放電產(chǎn)生的電磁脈沖(EMP)像雷電等可造成飛行器，通信系統(tǒng)聯(lián)絡(luò)中斷，使其不能正常工作，甚至造成電子設(shè)備損壞，這種效應(yīng)是造成電子儀器設(shè)備不能穩(wěn)定工作和失效的重要原因之一。微電子元器件的靜電損傷，大體上可分為兩類失效模式突 發(fā)性*失效和潛在性緩慢失效.
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