很多企業(yè)的產(chǎn)品宣傳上都會(huì)說(shuō)自己生產(chǎn)的LED防爆燈的發(fā)光效率是100%，可是真正能夠生產(chǎn)出100%發(fā)光效率的LED防爆燈卻是一臺(tái)也沒(méi)有。這一切的說(shuō)法，都還是只存在于理論階段的：只要技術(shù)過(guò)硬，應(yīng)該沒(méi)問(wèn)題?？墒钦娴臎](méi)有任何問(wèn)題嗎？世間萬(wàn)物都遵循著質(zhì)量守恒定律，但是想要將能量的損耗降低到零，這還是非常難以實(shí)現(xiàn)的，至少目前為止還沒(méi)有人能夠?qū)崿F(xiàn)。

就目前市面上使用的燈泡光源，我們來(lái)做個(gè)對(duì)比：

1、白熾燈和鹵鎢燈,其光效為12～24流明／瓦；

2、熒光燈和HID燈的光效為50～120流明／瓦；

3、LED防爆燈預(yù)計(jì)可達(dá)到250流明/瓦,目前可以110流明/瓦,并成功應(yīng)用與實(shí)踐中。

從這些數(shù)值上我們可以看到，如果條件允許的話，光源的光效還可以更高?？梢圆粩嗟南?00%光效無(wú)限靠近，直至達(dá)到100%。
目前，能提高發(fā)光效率且比較可行的方法有：

1、LED防爆燈激光剝離技能（LLO）：     
激光剝離技能（LLO）是使用激光能量分化GaN/藍(lán)寶石接口處的GaN緩沖層，然后完成LED外延片從藍(lán)寶石襯底別離。技能長(zhǎng)處是外延片轉(zhuǎn)移到高熱導(dǎo)率的熱沉上，可以改善大尺度芯片中電流擴(kuò)大。n面為出光面：發(fā)光面積增大，電極擋光小，便于制備微布局，并且削減刻蝕、磨片、劃片。更重要的是藍(lán)寶石襯底可以重復(fù)運(yùn)用。 

2、LED防爆燈芯片鍵合技能：     
光電子器材對(duì)所需求的資料在功能上有必定的需求，一般都需求有大的帶寬差和在資料的折射指數(shù)上要有很大的改變?？蓱z的是，一般沒(méi)有天然的這種資料。用同質(zhì)外延成長(zhǎng)技能一般都不能構(gòu)成所需求的帶寬差和折射指數(shù)差，而用一般的異質(zhì)外延技能，如在硅片上外延GaAs和InP等，不只本錢(qián)較高，并且接口的位錯(cuò)密度也十分高，很難構(gòu)成高質(zhì)量的光電子集成器材。因?yàn)榈蜏劓I合技能可以大大削減不一樣資料之間的熱失配疑問(wèn)，削減應(yīng)力和位錯(cuò)，因而能構(gòu)成高質(zhì)量的器材。跟著對(duì)鍵合機(jī)理的逐步知道和鍵合制程技能的逐步老練，多種不一樣資料的芯片之間現(xiàn)已可以完成相互鍵合，然后能夠構(gòu)成一些特別用處的資料和器材。 

3、LED防爆燈通明襯底技能：     
InGaAlP LED顯示屏一般是在GaAs襯底上外延成長(zhǎng)InGaAlP發(fā)光區(qū)GaP窗口區(qū)制備而成。與InGaAlP比較，GaAs資料具有小得多的禁帶寬度，因而，當(dāng)短波長(zhǎng)的光從發(fā)光區(qū)與窗口外表射入GaAs襯底時(shí)，將被全部吸收，變成器材出光功率不高的主要原因。在襯底與約束層之間成長(zhǎng)一個(gè)布喇格反射區(qū)，能將筆直射向襯底的光反射回發(fā)光區(qū)或窗口，有些改善了器材的出光特性。一個(gè)更為有用的辦法是先去掉GaAs襯底，代之于全通明的GaP晶體。 

4、LED防爆燈外表微布局技能 ：
外表微布局制程是進(jìn)步器材出光功率的又一個(gè)有用技能，該技能的根本關(guān)鍵是在芯片外表刻蝕很多尺度為光波長(zhǎng)量級(jí)的小布局，每個(gè)布局呈截角四面體狀，如此不光擴(kuò)大了出光面積，并且改變了光在芯片外表處的折射方向，然后使透光功率明顯進(jìn)步。丈量指出，關(guān)于窗口層厚度為20μm的器材，出光功率可增加30％。當(dāng)窗口層厚度減至10μm時(shí)，出光功率將有60％的改善。

當(dāng)然，我們還是很期待LED防爆燈發(fā)光效率真正的能達(dá)到100%，這樣不僅節(jié)能，還環(huán)保！