細(xì)胞：BCECs細(xì)胞

中文名稱：鼠腦微血管內(nèi)皮細(xì)胞  

生長特性：貼壁細(xì)胞

培養(yǎng)基：DMEM-H +10%FBS（GIBCO胎牛血清）

凍存條件：50%基礎(chǔ)培養(yǎng)基、40% FBS、10% DMSO

細(xì)胞常規(guī)培養(yǎng)傳代流程（ 請嚴(yán)格遵照無菌操作）

1． 吸出原培養(yǎng)瓶中的培養(yǎng)基，PBS 緩沖液潤洗細(xì)胞兩次，加 2-3 ml 0.25% yi酶進(jìn)行消化細(xì)胞（注意把握消化時(shí)間，通常控制在 1-2min）

2． 鏡下觀察消化情況，在細(xì)胞邊緣縮小，貼壁松動(dòng)時(shí)（不建議消化到細(xì)胞漂?。┤サ魕i酶，加 6~8ml 培養(yǎng)基，輕輕吹打細(xì)胞層，盡量把細(xì)胞層吹落，吹散。

3． 取部分細(xì)胞懸液轉(zhuǎn)移到新的培養(yǎng)皿/瓶中，添加適當(dāng)?shù)呐囵B(yǎng)基，把細(xì)胞懸液打勻，于培養(yǎng)箱中培養(yǎng)。

4． 注意培養(yǎng)基 PH 值變化情況，定期換液（每周 2-3 次），待細(xì)胞密度達(dá)到 80%以后重復(fù) 1 項(xiàng)操作或凍存。

（網(wǎng)絡(luò)信息主針對網(wǎng)絡(luò)推廣作用，僅供參考，細(xì)胞培養(yǎng)請咨詢細(xì)胞庫管理員，以細(xì)胞庫管理員提供給您的信息為準(zhǔn)，操作前，如果有不明白之處，先咨詢細(xì)胞庫管理員，避免不必要的損失；）

在III-V族半導(dǎo)體中，InSb化合物具有最窄禁帶寬度、高電子遷移率、最小有效質(zhì)量和最大g因子，是制備高速低功耗電子器件、紅外光電子器件及進(jìn)行自旋電子學(xué)研究與拓?fù)淞孔佑?jì)算等前沿物理探索的理想材料。（人Calu-6細(xì)胞 來源：通派細(xì)胞庫 人退行性肺癌細(xì)胞）

由于InSb具有晶格常數(shù)大以及固有的n型導(dǎo)電性特征，難以找到合適襯底外延生長，通常人們采用緩沖層技術(shù)。（人kyse30細(xì)胞 來源：通派細(xì)胞庫 人食管癌細(xì)胞）

然而，晶格失配引起的位錯(cuò)缺陷會沿著緩沖層向上延伸，甚至延伸至緩沖層表面，使得緩沖層表面不能形成的晶格結(jié)構(gòu)，從而影響外延的InSb薄膜晶體質(zhì)量。半個(gè)多世紀(jì)以來，高質(zhì)量InSb材料制備一直是困擾研究人員們的難題。（人KYSE-510細(xì)胞 來源：通派細(xì)胞庫 人食管癌細(xì)胞）

利用分子束外延技術(shù)，在Si襯底上生長出高質(zhì)量純相InAs納米線，然后通過控制生長溫度和束流比，創(chuàng)造性地在一維InAs納米線上生長出了二維高質(zhì)量InSb納米片。（人kyse410細(xì)胞 來源：通派細(xì)胞庫 人食管癌細(xì)胞）

這種免緩沖層技術(shù)制備出來的立式InSb納米片為純閃鋅礦單晶，結(jié)構(gòu)中觀察不到層錯(cuò)及孿晶等缺陷。（人BXPC-3-RFP細(xì)胞 來源：通派細(xì)胞庫 人原位胰腺癌細(xì)胞）

其長度和寬度達(dá)到微米量級（大于10微米）、厚度可薄至10納米。將這種高質(zhì)量的二維InSb納米片制成了場效應(yīng)器件，器件具有明顯的雙極性特征，低溫下場效應(yīng)遷移率近20000 cm2 V-1 s-1。