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2016-08-25 09:13:56深圳市科盈訊電子技術(shù)有限公司點擊量:512
浪涌保護(hù)器MCD50-B和MCD125-B/NPE滿足標(biāo)準(zhǔn)DIN、VDE6F5Part6(Draft11.89)A1,A2對B類器件的需求條件,以及標(biāo)準(zhǔn)IEC61643-1(02,89)對第Ι級浪涌保護(hù)器的要求,他們與后級限壓型電涌保護(hù)器配合使用時,無需設(shè)計退耦裝置,可以將兩極保護(hù)器安裝在一起。該產(chǎn)品是OBO在間隙型浪涌保護(hù)器的多電極石磨堆疊技術(shù)新發(fā)展。
MCD50-B以其低保護(hù)電壓水平(Up≤1.31KV)的特性,確保了與C級浪涌保護(hù)器配合使用時,不需要設(shè)計退耦裝置或者在B級和C級之間留一定的安裝距離。這樣它可以節(jié)省超過45%的安裝空間,MCD50-B這個特性特別是對緊湊型Z-MC概念有著特殊的貢獻(xiàn)。另外,NPE放電間隙MCD125-B/NPE雷擊電涌保護(hù)器其大通流量的特性在TT、TN-S系統(tǒng)中使用,可以同時作為B和C級浪涌保護(hù)器的NPE保護(hù)模塊,節(jié)省費用及安裝空間。
新的MCD50-B和MCD125-B/NPE浪涌保護(hù)器周的應(yīng)用環(huán)境是,需要有緊湊的防雷保護(hù)概念或者需要在一個獨立的小型機(jī)房內(nèi)安裝B和C兩級浪涌保護(hù)器的環(huán)境。例如:移動、微波通信基站。
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